去年末，ASML向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機(jī)。新設(shè)備的體積非常巨大，需要使用13個(gè)集裝箱和250個(gè)板條箱來進(jìn)行運(yùn)輸，將從荷蘭的費(fèi)爾德霍芬運(yùn)送到美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)基地，另外還需要250名工程師并花費(fèi)6個(gè)月完成安裝。
據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，ASML透露其一臺High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是現(xiàn)有EUV光刻機(jī)（約1.83億美元）的兩倍多。目前ASML已從英特爾和SK海力士等公司獲得了High-NA EUV光刻機(jī)的訂單，數(shù)量在10至20臺之間。與此同時(shí)，ASML計(jì)劃到2028年，每年生產(chǎn)20臺High-NA EUV光刻機(jī)，以滿足市場的需求。
High-NA EUV光刻機(jī)是具有高數(shù)值孔徑和每小時(shí)生產(chǎn)超過200片晶圓的極紫外光大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55數(shù)值孔徑，與此前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比，精度會有所提高，可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化，以實(shí)現(xiàn)更小的晶體管特征。
由于新一代光刻設(shè)備與舊款產(chǎn)品之間有許多不同之處，需要進(jìn)行大量的基礎(chǔ)設(shè)施改造。英特爾打算在Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)引入High-NA EUV光刻技術(shù)，這意味著大概在2026年至2027年之間開始啟用新設(shè)備。臺積電（TSMC）要等到1nm級的A10工藝才會使用High-NA EUV光刻機(jī)，可能是出于對成本的考慮，也就是說要等到2030年左右。
