5 月 24 日消息，據(jù)臺媒《MoneyDJ 理財網(wǎng)》報道，臺積電高管在 2024 年技術(shù)論壇新竹場上稱，其采用 Nanosheet 納米片（GAA 晶體管）的 2nm 節(jié)點進展順利。
臺積電聯(lián)席副 COO 張曉強表示，臺積電的 2nm 制程進展“非常順利”：目前納米片的“轉(zhuǎn)換表現(xiàn)”已達到目標 90%，按良率計算也超過了 80%。
臺積電認為其 N2 制程在 2025 年推出時，將繼續(xù)成為代工業(yè)界最領先的技術(shù)。
另據(jù)外媒 Anandtech 整理，臺積電將在 2025 下半年實現(xiàn) N2 制程量產(chǎn)，同期還將帶來 3nm 家族中面向 HPC 應用的 N3X 制程。
N3X 制程擁有更高的 1.2V 最大電壓，相較 N3P 制程在相同頻率下功耗降低 7%，在相同面積下性能提升 5%，在相同頻率下密度提升 10%。另據(jù)IT之家此前報道，該節(jié)點有望從今年開始接獲投片。
而在 2026 下半年，臺積電將量產(chǎn)兩個 2nm 家族變體制程：N2P 和 A16。
N2P 制程將相較 N2 制程在相同頻率和密度下功耗降低 5~10%，在相同密度和功耗下性能提升 5~10%。
在 A16 節(jié)點，臺積電將正式引入背面供電技術(shù)。該制程可在相同工作電壓下，頻率提升 8~10%；在相同頻率下功耗降低 15~20%，密度至高提升 10%。
