作者/倪雨晴
編輯/林曦
2022年以來，存儲(chǔ)芯片市場下行趨勢愈發(fā)明顯。多位終端從業(yè)者告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者，今年P(guān)C等消費(fèi)端產(chǎn)品中存儲(chǔ)芯片價(jià)格下滑幅度很大，當(dāng)前下跌趨勢還在繼續(xù)。
存儲(chǔ)芯片可以簡單地分為閃存和內(nèi)存，其中閃存主要有NAND FLASH、NOR FLASH，內(nèi)存主要為DRAM。不論閃存還是內(nèi)存，今年四季度價(jià)格仍在下探。
10月12日，在2022集邦咨詢半導(dǎo)體峰會(huì)暨存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)高層論壇上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮表示，全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在通貨膨脹以及復(fù)雜的全球趨勢下，DRAM價(jià)格自年初以來就一路走跌，下半年合約價(jià)每季跌幅更超過10％，需求方面如智能手機(jī)與筆記本今年衰退高達(dá)近8％與18％，顯見需求市場的嚴(yán)峻。
放眼2023年，TrendForce集邦咨詢預(yù)估明年內(nèi)存供給成長率僅來到14%，與今年相比大幅收斂，但需求明年僅有9%成長下，供過于求將更甚今年。
閃存市場同樣呈現(xiàn)供過于求的狀態(tài)，但是在逆勢下，多位分析師也指出，服務(wù)器需求的增長正在成為存儲(chǔ)芯片市場的新能動(dòng)。
供大于求：價(jià)格跌跌不休
在疫情、經(jīng)濟(jì)等多重因素疊加之下，2022年下半年，乃至2023年，存儲(chǔ)市場都將面對(duì)不小的挑戰(zhàn)，從價(jià)格上也能感受到陣陣寒意。
此前集邦咨詢研究顯示，第四季DRAM價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至13~18%。在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購，導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進(jìn)一步升高。
同時(shí)，各DRAM供應(yīng)商為求增加市占的策略不變，市場上已有“第三、四季合并議價(jià)”或“先談量再議價(jià)”的情形，這些皆是導(dǎo)致跌幅擴(kuò)大的原因。
比如在PC DRAM方面，以DDR4與DDR5來看，第四季價(jià)跌預(yù)測皆是13~18%，而DDR5的跌價(jià)幅度將大于DDR4，預(yù)估第四季PC DRAM價(jià)格季跌約10~15%；在Mobile DRAM方面，品牌不斷向下修正年度生產(chǎn)目標(biāo)，加劇庫存去化難度。
盡管第四季有蘋果新品提振市場需求，但因庫存壓力仍在，而供給仍有增加，原廠庫存壓力更甚，勢必加大降幅，預(yù)估第四季mobile DRAM價(jià)格跌幅約13~18%，且可能持續(xù)擴(kuò)大。
閃存方面，集邦咨詢研究指出，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價(jià)以鞏固訂單，使第三季wafer價(jià)格跌幅達(dá)30~35%，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，導(dǎo)致第四季NAND Flash價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15~20%。
同時(shí)，絕大部分原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，這意味著部分供應(yīng)商在運(yùn)營陷入虧損的壓力下, 可能采取減產(chǎn)的方式以降低虧損。
針對(duì)2023年閃存的供應(yīng)側(cè)趨勢，集邦咨詢資深分析師敖國鋒表示，2023年供給的年增長率較2022年有小幅提高，預(yù)計(jì)2023年的供給年增長率達(dá)到32.4%。同時(shí)，加上中國大陸閃存占比不斷提升，對(duì)于未來供應(yīng)商市占格局將帶來影響。
他還指出，受到手機(jī)和筆記本電腦需求大幅衰退影響，2022年閃存需求年增長率只有23個(gè)點(diǎn)左右，這是近8年來最低的一個(gè)年成長比，明年需求的增長比例預(yù)計(jì)恢復(fù)到29個(gè)點(diǎn)左右。
服務(wù)器需求或帶來新動(dòng)能
供需的嚴(yán)峻之勢可見一斑，西部數(shù)據(jù)產(chǎn)品營銷總監(jiān)張丹談道，近期存儲(chǔ)市場下行壓力很大，存儲(chǔ)行業(yè)正在集體越冬。不過這也是周期性的調(diào)整，因?yàn)榇鎯?chǔ)行業(yè)的需求勢能——數(shù)據(jù)生成，仍呈現(xiàn)出持續(xù)增長的勢頭。存儲(chǔ)行業(yè)大跨步邁進(jìn)了ZB時(shí)代，云/數(shù)據(jù)中心、汽車、游戲三大應(yīng)用領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)NAND Flash持續(xù)在ZB時(shí)代高速增長。
張丹還表示，面對(duì)數(shù)據(jù)發(fā)展的需求，NAND FLASH工藝和技術(shù)在過去和未來都將持續(xù)演進(jìn)。2017年開始，閃存行業(yè)整體邁入3D時(shí)代，西部數(shù)據(jù)認(rèn)為，未來可以從結(jié)構(gòu)，橫向，縱向和邏輯等維度，持續(xù)拓展NAND Flash技術(shù)。
與此同時(shí)，廠商們也在布局未來的潛力市場，在不少業(yè)內(nèi)人士看來，隨著算力需求增長，服務(wù)器市場對(duì)于存儲(chǔ)芯片的需求也將擴(kuò)大。
敖國鋒認(rèn)為，服務(wù)器的存儲(chǔ)器需求將支撐未來成長的一部分動(dòng)能，“服務(wù)器未來對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求十分暢旺，為了達(dá)到服務(wù)器計(jì)算能力的提升，就有更多新興規(guī)則傳輸界面的興起，這些傳輸界面的興起對(duì)于閃存原廠而言就十分重要，廠商就有機(jī)會(huì)推出相關(guān)新興界面的產(chǎn)品，有助于未來市占率的提升或出貨動(dòng)能的提升�！�
集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪也預(yù)計(jì)，2023年服務(wù)器市場將逆勢上漲。他指出，伴隨疫后衍生的串流影音服務(wù)，刺激了更多業(yè)者的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，服務(wù)器出貨更聚焦于數(shù)據(jù)中心，影響server DRAM的使用量攀升之余，也讓新型態(tài)的存儲(chǔ)器模塊開始聚攏，同時(shí)也讓存儲(chǔ)器業(yè)者開始思考組合型態(tài)的存儲(chǔ)器解決方案，其中CXL（Compute Express Link）就是目前次世代型態(tài)的存儲(chǔ)器相關(guān)產(chǎn)品。
另一方面，存儲(chǔ)芯片市場也在開辟新的市場，比如存算一體賽道。
至訊創(chuàng)新CEO龔翊介紹道，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)大概可以分成三個(gè)梯隊(duì)，第一梯隊(duì)是原廠，包括三星、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等海外企業(yè)，以及國內(nèi)的長江存儲(chǔ)和長鑫存儲(chǔ)；第二梯隊(duì)主要是中等容量的存儲(chǔ)器，包括MLC/DDR3/LP3，主要廠商包括南亞科、華邦、旺宏等；第三梯隊(duì)做小容量存儲(chǔ)，代表企業(yè)包括兆易創(chuàng)新、北京君正、復(fù)旦微等。
至訊創(chuàng)新認(rèn)為，到2030年中國企業(yè)將會(huì)成為一個(gè)不可忽視的重要力量。除了主流賽道群雄并起，存算一體這個(gè)新興市場也將有更多的發(fā)展機(jī)會(huì)和新興的力量加入。今年9月至訊創(chuàng)新已經(jīng)和浙江大學(xué)開始合作共同開發(fā)存算一體的芯片，預(yù)計(jì)2024年4月完成設(shè)計(jì)，10月量產(chǎn)。
當(dāng)前，存儲(chǔ)芯片市場仍處于調(diào)整期，隨著外部貿(mào)易環(huán)境、各國政策的變化，供需關(guān)系、新興市場、產(chǎn)業(yè)格局還將持續(xù)變動(dòng)。
